كوريا الجنوبية تتهم 10 أشخاص بتسريب مزعوم لتقنيات شرائح إلى شركة صينية

وجهت النيابة العامة في كوريا الجنوبية اتهامات إلى عشرة أشخاص للاشتباه في تسريبهم تقنيات تصنيع رقائق الذاكرة إلى شركة تشانغشين ميموري تكنولوجيز الصينية، وهي قضية تقول السلطات إنها ساهمت في تمهيد الطريق أمام الصين لتطوير ذاكرة النطاق الترددي العالي (DRAM)، وهي عنصر أساسي في حوسبة الذكاء الاصطناعي.

ووجه مكتب الادعاء في منطقة سيول المركزية الاتهام يوم الثلاثاء إلى خمسة أشخاص -من بينهم مسؤول تنفيذي سابق في شركة سامسونج إلكترونكس ومهندسون- وجرى احتجازهم على ذمة التحقيق بتهمة انتهاك قانون حماية التكنولوجيا الصناعية في كوريا الجنوبية، فيما وُجّهت التهم إلى خمسة آخرين لكن أُفرج عنهم بكفالة.

وقال المدعون إن باحثًا سابقًا في شركة سامسونج، كان بصدد ترك وظيفته للانضمام إلى شركة تانغشين ميموري تكنولوجيز، وقام بنسخ مئات الخطوات من عمليات تصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الخاصة بالشركة يدويًا، مسجلاً تفاصيل دقيقة حول مواصفات المعدات، وتسلسل العمليات، وتحسين الإنتاجية، بحسب "رويترز".

وأضافوا أن هذه الملاحظات المكتوبة بخط اليد استُخدمت لاحقًا لإعادة بناء عملية التصنيع في شركة تشانغشين ميموري تكنولوجيز.

وكشف التحقيق أيضًا أن الشركة الصينية حصلت على تقنيات إضافية خاصة برقائق الوصول العشوائي الديناميكية من شركة "إس كيه هاينكس" عبر أحد المورّدين، ما أسهم في تسريع وتيرة تطويرها.

ولم يذكر البيان الصادر يوم الثلاثاء أسماء الشركات المعنية، إلا أن النيابة العامة أكدت أسماء الشركات بشكل منفصل أرسلته إلى وكالة رويترز.

وذكرت النيابة العامة أن التقنية المسربة تتعلق بعمليات تصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية بتقنية 10 نانومتر، والتي أنفقت "سامسونج" 1.6 تريليون وون على تطويرها، مضيفةً أن "سامسونج" كانت الشركة الوحيدة التي سوّقت هذه التقنية تجاريًا في ذلك الوقت.

وأضاف المدّعون أن الشركة الصينية قامت لاحقًا بتعديل البيانات المسروقة والتحقق من صحتها لتلائم معداتها الخاصة، ما مكّنها من تحقيق إنتاج ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية بدقة 10 نانومتر في عام 2023، في أول إنجاز من نوعه لشركة صينية.